高压IGBT芯片表面钝化工艺研究通过验收 高端电力装备国产化奠定基础

5月24日，国家电网公司科技部在北京组织召开了国家电网公司科技项目“高压IGBT芯片表面钝化工艺研究”项目验收会。国家电网公司科技部、验收专家、项目研究团队等20余人参加了会议。与会专家听取了项目组的研究工作汇报，认真审阅了工作报告、技术报告、检测报告、决算报告、审计报告等项目资料，经质询与讨论，一致认为项目组完成了课题任务书和合同规定的全部研究内容，提交资料齐全、规范，同意项目通过验收。

该项目由全球能源互联网研究院有限公司牵头，项目组在深入研究钝化机理的基础上研究了一款适于项目目标的聚酰亚胺材料，提出了高压功率芯片的表面钝化工艺方案，优化了聚酰亚胺前清洗、涂覆、光刻、刻蚀及固化关键工艺菜单，完成了厚度大于20微米的聚酰亚胺膜层制备工艺研究与加工。

本项目共历时3年，联研院通过方案制定，试验设计，工艺加工，样品试制和测试评估，全面掌握了高压IGBT芯片表面的钝化工艺，完成了整个钝化工艺的研究与开发。目前研究成果已经应用到联研院的高压IGBT和FRD样品之上，试制的3300V/50AIGBT和3300V/100AFRD芯片通过了1000小时的可靠性考核，为直流断路器等高端电力装备的全面国产化奠定了基础。