核心技术制约我国IGBT产业化进程

2013-10-08 09:29:56 北极星电力软件网　点击量：评论 (0)

随着IGBT技术的发展，IGBT已经从工业扩展到消费电子应用，成为未来10年发展最迅速的功率半导体器件;而在中国市场，轨道交通、家电节能、风力发电、太阳能光伏和电力电子等应用更是引爆了IGBT应用市场。据IHS

随着IGBT技术的发展，IGBT已经从工业扩展到消费电子应用，成为未来10年发展最迅速的功率半导体器件;而在中国市场，轨道交通、家电节能、风力发电、太阳能光伏和电力电子等应用更是引爆了IGBT应用市场。据IHS iSuppli公司中国研究服务即将发表的一份报告，由于绿色能源与能源效率得到更多的重视，以及政府投资支持和严格的能源政策，2011-2015年中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场销售额的复合年度增长率将达13%。2011年IGBT销售额将达到8.59亿美元，2015年有望达到13亿美元，如下图所示。与其它MOSFET等其它分立功率元件相比，中国IGBT销售额增长强劲。

IGBT产品可以分为IGBT模组和分立器件。由于功率输出较高、尺寸较小和在终端应用中的可靠性，IGBT模组广泛用于几乎所有的电子产业，从消费领域一直到工业领域。2010年，模组占总体IGBT销售额的73%，达到5.37亿美元。IGBT分立元件则占剩余的27%。2010年总体IGBT销售额达到7.1亿美元，比2009年的4.3亿美元大增65%。

挑战及差距

虽然市场空间巨大，但目前国内IGBT市场仍为英飞凌和三菱等国外厂商的垄断，南京银茂微电子销售总监估计国内IGBT市场95%以上都是进口的产品。尽管国外IGBT巨头在国内有一些投资或者合资企业，但在IGBT方面对中国还是实行技术封锁，所以真正的核心技术并没有流向中国，这严重制约了我国IGBT产业化的进程。

“与国外厂商相比，国产IGBT主要差距在器件设计，工艺和生产制造技术方面，以及整个终端应用的解决方案上面。另外，IGBT原材料的供应也会一定程度上影响国产IGBT的发展”。华润上华分立器件产品开发中心总经理吴宗宪实事求是的说，他同时表示，尽管国内IGBT产业发展比较快，但是因为各方面存在的差距比较大，要赶上国际水平的话则需要5-10年时间。

西安芯派的总经理罗义则悲观的多，他认为目前的形势下国内IGBT赶上国外水准是痴人说梦，他解释道：“国内目前IGBT产业只能说是刚刚起步，技术和工艺基本上都是空白，一方面，IGBT的技术日新月异，更新很快，国内企业很难跟上步伐，更不要说是赶超了。另一方面，国内还没有掌握IGBT的核心技术，目前国内只是一些IGBT的封装厂，没有自己真正的品牌，没有自主品牌拿什么跟人家竞争?”

另外，缺少产业化的技术经验和人才也是目前我国IGBT行业发展面临的困境之一，虽然随着一部分海归回国创业，在一定程度上改善了这种状况，但是由于国内大部分高校和研究机构把精力转向了SIC和GaN宽禁带半导体器件及电源管理芯片方向，只有两三家高校和研究机构还在进行IGBT器件相