核心技术制约我国IGBT产业化进程

关的研发，并且主要限于计算机仿真研究，这就导致了我国在IGBT设计和研发方面的人才奇缺。

破茧成长

因为国内企业在IGBT芯片设计、制造以及封装各环节的技术和积累都比较少，短期内赶上国际水平不太现实，所以，提升进口替代产品的能力就成了国内企业首选方向，以价格优势和本土优势抢占市场份额，据了解，IGBT国产化器件相比国外企业成本节约15~20%，即使售价减少40%，国内企业依然拥有30%以上的毛利率。另外，国外企业产品定位大部分是工业应用领域大功率IGBT，而我国是世界上最主要的家电生产和消费国，加上小功率IGBT生产门槛较大功率低，所以，国内企业进入IGBT行业家电领域是最适合的切入点。“在过去2-3年中，国产IGBT特别是1200V 平面非穿通型和1200V 沟槽非穿通型，在消费电子市场有了突破。预计未来2-3年，将在600V以及1,700V甚至更高电压的技术上有所突破。中大功率应用将会在未来3-5年内看到国产IGBT器件。”从华润上华分立器件产品开发中心总经理吴宗宪回答可以看出，他对国产IGBT的发展前景充满信心。

而智能电网、高铁建设、新能源汽车以及家电节能等本土市场，更为企业的技术突破，实现IGBT的替代创造了坚实的市场基础。尤其是节能与新能源是国家发展新兴科技产业的重点，而IGBT则是节能与新能源领域核心器件，所以IGBT产业化不仅仅是市场需求，同时也是国家发展的战略需求。发改委于2010年3月19日下发红头文件：《国家发展改革委办公厅关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》，其专项重点明确了以IGBT为代表的芯片和器件的设计开发及产业化、功率模块产业化。这说明国家对目前功率半导体国产化的现状已有比较深刻的认识和危机意识。