绒面结构如何影响黑硅太阳能电池电性能？

图3.(a)不同条件的反射率。(b)沉积SiNx后不同条件的反射率

图4.不同条件的方阻和表面面积。

图5.不同条件的IQE。

表2.不同条件的电性能。Voc开路电压，Jsc短路电流密度，Rsh并阻，Jrev反向饱和电流密度， FF填充因子，Eff光电转效率。

图6.C3和酸制绒电池的I-V曲线。

图7.使用SEM扫描的电池的Ag-Si接触的横截面图。(a)C3条件，(b)C3条件高放大倍数，(c)酸制绒山峰底部，(d)酸制绒山峰顶部。

4 总结

利用PIII方法成功制备出多晶黑硅。研究了不同制绒条件下的绒面结构，发现制绒条件不同，绒面小山峰的高度不同。反射率和方阻随着山峰高度的增加而降低;但由于表面复合的增加，IQE也随之降低。山峰高度300nm条件的效率最高，高达15.99%。开路电压、短路电流和酸制绒多晶硅电池的几乎相同。但黑硅山峰底部Ag-Si接触较差，填充因子比酸制绒多晶硅电池低很多。通过改善黑硅表面钝化和Ag-Si接触可以进一步提升黑硅太阳能电池的转换效率。