烽火新型低损耗光纤 助力国家干线建设

迄今，我国已敷设光缆的总长度超过了4.05×106 km，约7.582×107芯公里。每年全球近2.5亿芯公里的光纤用量，有一半是用在中国的光通信建设上。从系统的角度来说，低于2.5Gbit/s的系统一般为衰减限制，而速率达到及超过10Gbit/s的系统为色散受限。为了减小光纤在1550nm窗口的衰减和色散，研制出来了G.653零色散位移单模光纤。然而，随着DWDM系统的推广，系统在零色散点(1550nm)受四波混频效应的影响严重，人们便寻求在1550nm窗口的光纤色散微弱又不彻底消除的解决方案，这就是后来规范为G.655的非零色散位移光纤。实际上，10Gbit/s及40Gbit/s速率的系统在光纤中的传输距离不仅受光纤的色度色散限制，更严重的是受偏振模色散PMD的限制，于是研制了两种低PMD的子类型的光纤G.652D和G.655C。为了能利用S+C+L三个波段，开发出新型光纤，把这种光纤命名为ITU-T G.656光纤。

2012年起，100G芯片开始商用，与100G传输相关的技术如软判决、相干检测、调制技术都得以完美实现。而与此同时，对传输的媒介光纤也提出了新的要求，具有更低损耗、允许更大泵入光功率的光纤亟待研发。100G传输系统采取了相干调制和前向纠错等技术，使得在10G和40G系统中，色散和PMD的影响被极大的降低，且给光纤色散的增大留出了更多空间，于是光纤有条件通过波导结构调整增大有效面积，从而抑制非线性效应。因此，限制传输的主要矛盾再次集中到了衰减上来。

作为引领中国光纤光缆行业三十年成长的龙头企业，烽火通信始终领先于新型光纤的研发和应用工作。针对新型传输系统的要求，烽火通信提出了一种全新的解决方案，即新型低损耗抗弯大有效面积G.652D光纤。该种新型光纤在预制棒阶段采取VAD技术制造芯棒，与传统技术不同的是，在芯棒制造过程中，降低了芯层的GeO2掺杂量，在保证折射率差的前提下降低了芯层的瑞利散射，从而达到降低衰减的目的;在拉丝过程中，通过控制拉丝速度，提高结晶质量等手段，进一步降低光纤衰减。在抗弯曲特性上，烽火低损光纤也优于业内平均水平，使得成缆时的附加损耗更小，成缆后的光纤平均损耗可以降低到0.185dB/km;低损耗的光缆在确定中继站点的实际工程应用上，能为整个系统提供更大的衰减冗余，如对于100公里的一个中继，采用低损光纤能比正常光纤多提供15dB的冗余，工程能承受更低的设备功率，增加割接次数，增大了承载网的安全。

烽火新型低损耗光纤在保证低衰减、大有效面积、较强抗弯能力的同时，相对传统G.652D光纤成本增加较少，更适合长距离干线线路工程的建设。在2013年中国电信一干招标中，烽火凭借优异的低损耗光缆指标，一举获得四个标段中的两个，为兰州-定西-吐鲁番、乌鲁木齐-吐鲁番提供累计2500公里的高性能光缆;在2013年中国移动一干项目中，烽火低损光纤再次被选中，被直接授予中蒙跨境项目、天津-石家庄两条移动一干，总长度为390公里;在2013年中国电信集采项目中，烽火通信普通光缆综合排名第二，取得了优异的成绩。

经过39年不断发展，烽火通信已成为掌握自主知识产权，拥有光棒、光纤、光缆规模超2000万芯公里/年的光通信企业，在100G系统快速应用的今天，烽火的低损耗光纤也将更多地应用于国家干线建设。